特讯热点！三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

[美国，加州] - 据市场研究机构TechInsights近日发布的报告，三星电子在3D NAND闪存堆叠技术方面处于领先地位，其平均每单元比特堆叠层数达到了176层，而紧随其后的长存美光则为164层。

报告指出，三星在3D NAND堆叠技术方面的领先优势主要体现在其先进的晶圆代工工艺和设计架构上。三星采用了一系列创新的技术，例如沟槽填充技术和自对准蚀刻技术，使得其能够在更薄的晶圆上制造更多的存储层。此外，三星还开发了一种新的3D NAND架构，该架构可以提高存储单元的密度和性能。

长存美光也在3D NAND堆叠技术方面投入了大量研发资金，并取得了显著进展。该公司目前正在开发176层3D NAND闪存，预计将于2024年底投产。

3D NAND闪存是目前最先进的闪存技术之一，具有更高的存储密度、更快的速度和更低的功耗。随着智能手机、数据中心和服务器等应用对存储需求的不断增长，3D NAND闪存市场预计将快速增长。

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真我GT6再曝猛料：6000尼特极窄直屏，刷新亮度新高度！

realme真我GT系列一直以高性能、高性价比著称，深受年轻消费者喜爱。近日，据可靠消息人士透露，realme即将推出的全新旗舰机型真我GT6，将在屏幕方面带来重大突破。

真我GT6将采用6.7英寸的AMOLED直屏，分辨率为FHD+，支持120Hz刷新率和HDR10+显示。这块屏幕的最大亮点在于其亮度，据称能够达到6000尼特，即使在阳光下也能清晰显示画面内容。

此外，真我GT6的屏幕边框还将进一步缩窄，左右边框仅为1.48mm，上边框为1.85mm，下巴为2.37mm，视觉效果更加震撼。

在其他方面，真我GT6将搭载骁龙8 Gen 3旗舰处理器，配备最高12GB内存和最高512GB存储，并配备5000mAh大电池，支持120W快充。影像方面，真我GT6将采用50MP主摄像头领衔的后置三摄模组，拍照能力十分强悍。

综合来看，真我GT6在屏幕、性能、影像等方面都拥有出色的表现，是一款极具竞争力的旗舰机型。相信这款手机上市后，将会受到广大消费者的热烈追捧。